'TDR'에 해당되는 글 3건

  1. 2015.03.24 TDR 응답은 인터커넥트(Interconnect)를 말해준다.
  2. 2014.02.17 TDR 장비의 성능에 따라서 임피던스 값이 달라질 수 있을까?
  3. 2013.08.13 Step Pulse로 Interconnection 특성 파악

TDR 응답은 인터커넥트(Interconnect)를 말해준다.

원 포인트 레슨 2015. 3. 24. 23:00

가장 활용성 높고 직관적인 SI 하나는 TDR(Time Domain Reflectometry) TDT(Time Domain Transmission)이다. 시간 영역 분석은 전기 신호가 어떻게 인터커넥트를 통해서 전파하는지에 대한 직관을 준다. 신호는 PCB via, 커넥터, 인퍼테이스, 그라운드 인터럽션 응답에 영향을 주는 지오메트리를 통해서 전파된다. TDR TDT 이런 환경을 식별하고 정량화하는데 사용된다.


복잡한 TDR 응답을 해석할 때는 경험을 대체할 만한 것은 없다. 이것을 먼저 전제하고, 간단한 환경에 대한 기본적인 TDR 응답은 복잡한 TDR 응답을 해석하는데 기초를 제공한다. 가장 간단한 TDR 응답을 살펴보자: open, short, TDR 시스템 임피던스보다 크거나 작은 임피던스.



임피던스가 TDR 시스템 임피던스(일반적으로 50 ohm) 같으면, TDR 응답은 플랫한 라인이 된다.

 

다음으로 간단한 가지 환경 - inductive, capacitive - 추가로 살펴본다.


"TDR Interconnect Modeling Quick Guide" from TDA Systems


기본 TDR 응답으로부터, 복잡한 TDR 응답에 대한 해석을 시작할 있다.

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TDR 장비의 성능에 따라서 임피던스 값이 달라질 수 있을까?

원 포인트 레슨 2014. 2. 17. 23:00

 TDR(Time Domain Reflectometer) 장비는 step 펄스 신호를 쏘고 돌아오는 반사파를 측정해서 임피던스를 잰다. 정확하게는 돌아오는 반사파의 전압을 측정한다. 그리고 그 값에서 계산을 통해서 임피던스를 알아낸다. 

 TDR 장비는 각 장비의 성능에 따라서 rise time이 다르다. 분석 용도로 사용되는 고성능 장비의 경우 rise time이 1x ps 정도로 짧지만 양산 등에서 Pass/Fail을 가리기 위해 단순 임피던스 측정용으로 사용되는 저성능 장비는 xxx ps 정도로 길다. 신호가 바라보는 임피던스 변화는 rise time에 의존한다는 사실을 생각하면, TDR 장비에 따라서 임피던스가 다르게 측정될 수 있을까? 변화가 심한 부분이라면 정답은 예 이지만, 변화가 없는 안정화된 구간이라면 답은 아니오이다.

 안정화 된 구간에서의 임피던스 측정은 장비의 성능에 관계없이 정확한 임피던스가 측정된다. rise time이 빠르면, 전압값이 빠르게 상승하지만 전류도 같이 빠르게 상승한다. rise time이 느리면, 전압값이 느리게 상승하지만 전류도 같이 느리게 상승한다. 따라서, 안정화 된 구간에서의 임피던스는 rise time의 함수가 아니다. 다만, 임피던스 측정이 끝나는 트래이스 끝에서는 무한대를 향하는 임피던스의 기울기가 rise time의 영향을 받는다. 또한 트래이스에 미세한 임피던스 변화가 발생할 경우 rise time이 느린 TDR은 변화를 감지하지 못할 것이다.

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Step Pulse로 Interconnection 특성 파악

원 포인트 레슨 2013. 8. 13. 06:47
 SI 시뮬레이션에서 interconnection의 특성을 파악하기 위해서 기본적으로 사용하는 방법은, 드라이버에서 step 펄스를  쏘고 다시 자신으로 돌아오는 파형을 관찰하는 것이다. 돌아오는 파형의 변화를 보면 interconnection에서 impedance가 어떻게 변화되는 지를 알 수 있다. 아래 파형을 보자.


 파란 선은 드라이버에서 구동된 스텝 펄스이다. 100 ps의 rise time을 갖는 크기 1V의 step pulse이다. 빨간 선은 드라이버 단에서 측정되는 전압 파형이고, 녹색은 리시버 단에서의 전압 파형이다.
 빨간 선에 주의 해서 보자. 중간에 0.5V로 평평한 구간이 되다가 3 ns 근처에서 1V 올라간다. 이것으로 우리는 드라이버 단에서 리시버 단까지 거리가 대략 1.5 ns라는 것을 알 수 있다. PCB가 FR4라고 하면 거리 상으로 대략 220mm 이다. 또 하나 알 수 있는 것은 trace의 impedance가 50 ohm 이라면 드라이버의 출력 임피던스도 50ohm이다. 왜냐하면 중간의 평평한 구간이 0.5V이기 때문이다.
 빨간선의 제일 앞 부분(파란 동그라미)을 보면 신호가 깨끗하게 끝까지 올라기지 못하고 한번 움푹 빼이이고 올라가는 것을 볼 수 있다. 이것은 드라이버 핀 근처에 매우 큰 C 성분이 존재하기 때문이다. 드라이버 핀과 그 C과의 거리는 대략 7mm(50ps) 정도로 보인다.
 실제 리시버가 보게되는 신호인 녹색선을 살펴보자. 먼저 빨간색 동그라미를 보자. 이 부분의 모양을 자세히 보면 위에 언급된 파란색 동그라미 부분의 축소판이다. 즉 드라이버를 출발하면서 신호가 격는 파형의 변화가 그대로 리시버 단에서 재현이 된다. 리시버단의 전반사 신호가 드라이버단에서 근처 C 성분에서 다시 반사되어 3n정도 후에 리시버에서 보인다(두번째 작은 파란 동그라미). 위 그래프에서 우리는 아래 4가지를 알 수 있다.

  1. 드라이버와 리시버의  사이의 거리
  2. 드라이버의 출력임피던스(PCB 임피던스를 알 경우), PCB 임피던스(드라이버 출력 임피던스를 알 경우)
  3. interconnection에 C 나 L 혹은 R 성분 있을 경우, 드라이버로 그 성분까지의 거리
  4. interconnection에서 impedance의 변화
 
아래 그래프는 위 그래프와 동일한 조건에서 리시버와 드라이버의 위치를 바꾸고 관찰한 파형이다.
 


  빨간 선의 앞부분 파란 동그라미를 보자. 신호가 깨끗하게 올라가는 것을 볼 수 있다. 드라이버 부근(앞의 경우로는 리시버 부근)에 어떠한 C나 L 성분도 없는 것을 알 수 있다. PCB는 거의 끝가지 깨끗하게 임피던스가 유지된다. 그런데 녹색 원에서 알 수 있듯이 리버서 근처(앞의 경우의 드라이버 근처)에 큰 C 성분이 있는 것이 확인된다. 이 C 성분 때문에 리시버의 파형 초기에 빨간색 원처럼 움푹 패이며 ringing 노이즈가 발생한다. 이 경우엔 리시버에서 반사된 신호가 드라이버단에서 모두 소멸되기 때문에 추가 노이즈가 없다(뒷 쪽 작은 파란 원). 드라이버단이 완벽히 터미네이션 되기 때문이다.

 다른 예를 하나 더 보자. 아래 그림은 PCB - connector - cable - connector - PCB로 구성된 구조에서, 임피던스를 시뮬레이션 한 결과이다(세로축은 임피던스이다). 처음 시작부위에서 매우큰 C 성분이 관찰된다. 그리고 connector(socket, header) 위치에서 큰 임피던스 불연속이 관찰된다.


 위 그림에서 소켓의 모양을 보면 소켓의 구성이 C-L-C로 되어 있는 것을 알 수 있다. 그 이유는 소켓을 board에 마운팅 하기 위한 소켓 핀용 홀 패드가 매우 크기 때문에 처음에 C가 보이는 것이고 그 다음 소켓 내부에서 핀이 return path와 멀어지며 L이 증가하고 다음에 동축 케이블과 연결되는 부위에서 살짤 C가 증가하게되는 구조를 갖고 있기 때문이다. 반면 헤더의 경우 L성분이 거의 없고 C만 있는데, 이유는 동축 케이블의 심이 바로 PCB에 꽃히는 구조이기 때문이다. 이런 임피던스 프로파일일 갖는 interconnection에서 전압 파형을 관찰하면 아래 그림과 같다.


 빨간 선은 드라이버 단에서 관찰되는 파형의 변화이다. 파란 동그라미와 빨간 동그라미를 보면 모양이 위 임피던스 파형의 경우와 동일함을 확인할 수 있다. 그리고 그 모양은 리시버 단에도 그대로 적용이 된다( 모양은 반대(대칭)이다).
 아래 그림은 이 interconnection이 갖는 eye diagram이다.



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