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 lossy dielectric material로 capacitor를 만들면, dielectric absorption이 주파수 변화에 따라서 C의 값을 변하게 할 수 있다. good dielectric은 주파수에 대해서 C값의 변화가 아주 천천이 이루어지게 한다. 질이 나쁜 dielectric은 주파수에 대한 capacitance의 변화를 더욱 심하고 뚜렷하게 한다. capacitance의 변화는 loss tangent와 직접적인 관련이 있다. loss tangent를 알고 있으면 C값의 변화를 대략 모델링할 수 있다.

C(f) = C0 * [ (jf/f0)^k ] = C*[(f/f0)^k ][ j^k]

           = 4.7*[j^(-0.006366)][1000^-0.006366]

           = 4.7*(0.9999-j.01)(0.956978)

J^k 항목은 loss tangent 0.01을 가져야 하므로 위와 같이 계산되고, 크기는 4.7*0.9999*0.956978 = 4.5가 된다.

Er(1M) = 4.5

Er(1G) = 4.7*0.9999*(1e6^-0.006366) = 4.3

 위 예제는 FR-4가 주파수에 대해서 어떻게 유전율이 변하는지를 보여준다. loss tangent(여기서는 0.01)는 주파수에 대해서 constant하지 않다. 따라서 제조사들은 일반적으로 worst-case인 0.02를 specify한다. 관심있는 주파수 대역의 최대 주파수에서의 유전율을 적용하는 것이 바람직해 보인다.

 전송선 손실은 크게 skin effect에 의한 손실과 dielectric loss에 의한 손실 2가지로 구성이 된다.    skin effect에 의한 손실은 신호의 rise time이 빠르면 전하가 conductor의 표면으로만 흐르게 되므로 단면적이 적어져서 저항 성분이 커져 발생하게 되는 손실이다. 따라서 skin effect에 의한 손실은 DC(칼로 무자르듯 할 수 없지만 수치를 좋아하는 분들이 계시기 때문에 구지 정하자면 10MHz 이하)에서는 없으며 신호가 고속이 될수록 skin effect는 커지게 된다.