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회로를 프로브하기 전에 스코프 스크린을 보면서 자신에게 던져야할 할 질문:

   내가 측정하려고 하는 신호는?
   스코프 setup은 정확한가?
   스코프는 calibrated 되었나?
   내가 예상한 amplitude인가?
   offset이 있다면, 예상했던 바 인가?
   예상했던 frequency인가?
   trigger는 안정적인가? 스코프 setup이 바른가?
   신호가 안정적인가? 그렇지 않다면 얼마나 많이 변하나?
   현재의 측정치를 이전의 것과 어떻게 비교할 것인가?

디지털 스코프 사용에서 흔히 범하는 10가지 실수

 1. 적은 메모리로 넓은 시간을 보려고 할 때 undersampling이 발생하는 것.
 2. application note를 모두 읽어보지 않는 것.
 3. 장비의 측정 시스템에 error source를 고려하지 않거나 모르는 것.
    ADC Effective Bits
    ADC Non-linearities
    Aliasing (Extreme Undersampling)
    Amplifier - BW Rolloff, Noise, Non-Linearity
    Amplifier - DC Offset
    Aperture Jitter
    Interpolation (Using Linear Vs. SIN X/X Near Nyquist Frequencies)
    Misinterpreting Causes & Effects
    Misinterpreting Instrument Setup That Negates Or Changes Intended
    Misinterpreting/Misreading Values Displayed
    Noise In Scope
    Noise In Signal
    Probe Effects (Loading, Propagation Vs. Length, Compensation, Grounding)
    Timebase Drift/Jitter
    Trigger Jitter
    Triggering Under The Wrong Conditions
    Under Utilized Dynamic Range (not Filling The Screen)
    Undersampling (too Few Samples/Sweep)
    Undersampling (too Few Sweeps To Know What Is Actually Happening)
 4. 스코프의 측정력을 사용하지 않는 것. 8비트 측정이 눈 대중보다 5배 이상 정확하다.
 5. 시간에 대해서 변하는 것을 보기 위해서 persistance, histograms, statistics 등을 사용하지 않고 1회만 측정하는
    것. frequency spectrum에서 변하는 것을 보기 위해서 FFT display를 확인하라.
 6. 스코프를 배우기 위해서 그리고 최신 버전으로 펌웨어를 업데이트하기 위해서 시간을 사용하지 않는 것.
 7. high frequency나 load sensitive circuit을 측정하는데 passive probe를 사용하는 것.
 8. 시간 상의 너무 작은 부분만 보아서 원인과 효과를 보지 못하는 것.
 9. 4개의 trace를 한 화면에 보기 위해서 각 waveform을 full scale의 25%로 줄이는 것.
    이것은 resolution과 accuracy에서 2개 이상의 bits를 날려버린다.
10. 같은 스코프를 사용하며 나름의 테크닉을 가지고 있는 회사의 다른 동료와 대화를 나누지 않는 것.

예전에는 system의 BW가 memory의 B/W보다 컸다. 그러나 2003년부터 memory의 B/W가 system 보다 커지기 시작해서 현재는 1.5배에 이른다. 이것은 메모리 시스템에서 dual channel 구조(128bit)를 채택했기 때문이다. 향후에는 더 넓은 B/W를 확보하기 위해서 quad channel 구조로 갈 것이다. BW가 넓어지려면 기본 주파수가 올라가야 되고 이것은 필연적으로 SI와 PI 이슈를 가져온다. 또한 공급 전원은 점점 낮아지는데 이것은 PI 이슈를 가져온다. 이런 이슈들을 다루는 과정에서 target spec이 정해지게 된다.

고속 인터페이스에서 어떻게 정확하게 SI와 PI를 분석할까? 첫째로, worst case condition을 고려한다. 둘째로, 여러 가지 방법(time domain, frequency domain)을 사용하여 분석한다. 셋째로, via, socket, package등 정교한 모델링을 이용한다.

패키지 모델링의 경우 기존에는 lumped RLC 모델을 사용하여 왔다. 이 경우 mutual effects를 고려하기 힘들고, loss를 반영하기 힘들다. 이때, s-parameter 모델을 사용하면 쉽게 이를 해결 할 수 있다. S-parameter 모델을 사용하면, BW를 체크하기 쉽고, 주파수 dependent한 파라미터들이 반영 되어 있어서 좋다. 반면에, passivity violation이나 causality violation을 유발할 가능성이 있고 transition simulation을 할 때는 시간이 오래 걸린다는 단점이 있다.

SI는 크게 jitter와 voltage swing으로 판단을 한다. 이때 jitter는 PVT, Dj/Rj, Vox, Output impedance control등 TX의 특성과, X-talk, ISI 에 의해서 유발된다. 그리고 충분한 voltage swing을 확보하기 위해서는 인터페이스에서 Ron/Rtt을 최적화 해야 한다.